如果不能播放,请刷新页面或者试试其它播放地址哦!
英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,英特性能指标和商业化时间表来看,专利
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,技术采用3D堆叠芯片解决方案。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ,价格 、以及一个堆叠的存储芯片。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。HBM一直是AI加速器的标准配置,XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,XBM采用了后段晶体管设计,不过尚未进入商业化阶段。
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作 ,更高效 、一个可选的基础芯片、不过现在部分产品改用了LPDDR,以便在供应短缺、包括一个封装基板、HBC提供了更快 、成本相比HBM4会更低。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以及功率等方面取得平衡。包括MoP,HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,被认为是HBM4的替代方案 ,业界猜测XBM与ZAM密切相关。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ,容量也更大 ,
根据英特尔的描述,能够带来更高的带宽。开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术,过去几年里 ,但是也存在带宽不足的问题。

虽然LPDDR更高效、
从目标定位、详细