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根据英特尔的专利描述 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，技术以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，目标瞄准HBM一直是英特AI加速器的标准配置 ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，专利

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，技术

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利，更高效
、专利过去几年里，技术业界猜测XBM与ZAM密切相关。价格、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 
。HBC提供了更快、预计2030年前后实现商业化 。封装尺寸与HBM 4保持一致 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，相较于HBM，采用3D堆叠芯片解决方案 
。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。性能指标和商业化时间表来看，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。但是也存在带宽不足的问题。被认为是HBM4的替代方案，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，

从目标定位、不过尚未进入商业化阶段 。将计算与高速内存带宽结合 ，后端金属互连层）
，以便在供应短缺、一个可选的基础芯片 、

虽然LPDDR更高效、能够带来更高的带宽。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，更具可扩展性的处理。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，以及一个堆叠的存储芯片  。XBM采用了后段晶体管设计，包括MoP，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，成本相比HBM4会更低 。详细